Учёные из Политехнического института штата Джорджии (США) и Национального научно-исследовательского центра (CNRS) во Франции при поддержке корпорации Intel разрабатывают принципиально новые микроэлектронные схемы на основе графена - тончайшего слоя графита. Используя принцип электронно-волнового дуализма и волновые свойства электронов на слоях графена толщиной до 10 атомов, исследователи хотят достигнуть проводимости как у материалов, основанных на углеродных нанотрубках.

Видео дня

Прототип микросхемы на фоне изображения поверхности графена

Для современных приборов микроэлектроника предъявляет жёсткие требования, следовательно, все новые материалы должны им соответствовать. Материалы на основе нанотрубок создать в промышленном масштабе не так просто. Графеновые слои же можно получать достаточно простым способом, испаряя атомы кремния с поверхности карбидокремниевых подложек при высоком вакууме. Далее при помощи спинкастинга на подготовленную поверхность наносится фоторезистивный материал для создания микроэлектронных контуров. Оптическим или электронно-лучевым литографическим методом и своеобразной гравировкой строятся нужные образы на поверхности готового материала, убирая лишний графен.

Этот новый перспективный материал уже сейчас, на стадии разработки, показывает достаточно неплохие результаты. Графен демонстрирует высокую электронную подвижность и электронное сопряжение при комнатной температуре. Он показывает эффект квантовой интерференции и предполагается, что, при малых структурах, будет наблюдаться баллистическая проводимость.