Samsung разработал флеш-память для мобильных телефонов объемом 4Gb

Samsung Electronics, лидер в области современной полупроводниковой технологии, разработал 4GB Flаsh память OneNAND для мультмедийных телефонов. Память отличается микрокомпактными габаритами, низким энергопотреблением и высокой плотностью записи.

Видео дня

Ожидается, что OneNAND будет очень популярной для маленьких 3G мобильных телефонов, продвинутых PDA, нового поколения портативных игровых систем и цифровых камер. Память OneNAND работает на 1.8V, уменьшая расход энергии почти до половины от существующих 3.3V, которые используют другие типы мобильной памяти.

Устройство имеет также очень малый размер (11 x 13x 1.4 мм), значительно меньший, чем у существующих, при той же емкости.

"В дополнение к недавно объявленном прогрессе в мобильной DRAM и MCP памяти следующего поколения, новая 4Gb OneNAND поможет укрепить наше лидерство на быстро развивающемся мобильном рынке," сказал Том Куинн, старший вице-президент продаж и маркетинга Samsung Semiconductor.

Скорость чтения 4Gb OneNAND составляет 108 MByte/s, что в четыре раза быстрее обычной NAND Flash памяти, а скорость записи - 10 MByte/s, в 60 раз быстрее NOR flash памяти. На ней можно хранить более чем 250 фотографий, сделанной 5-мегапиксельной камерой, или до 120 музыкальных файлов.

Samsung Electronics предоставляет линейку OneNAND памяти, емкостью от 128 MB до 4Gb с программным обеспечением, которое оптимизирует ее для всех популярных мобильных операционных систем, включая Symbian и Linux.

Согласно исследованиям, продажи 3G телефонов в 2008 году достигнет 240 миллионов, что составляет 87 % ежегодного роста с 2004.

Компания заявила, что начнет массовое производство 4Gb OneNAND Flash в июле 2005 года.